دانشمندان امیدواند MRAM ظرفیت هارد و توان رم را بالا ببرد.

به گزارش بخش خبر شبكه فن آوری اطلاعات ایران، از ایلنا ، دانشمندان یك پدیده مغناطیسی جدید ایجاد كرده‌‏اند كه به گفته آنها راه را برای كاهش زمان روشن شدن رایانه‌‏ها به تنها چند ثانیه و همین طور افزایش ظرفیت ذخیره رانه‌‏های هارد فراهم می‌‏كند.
محققان دانشگاه اوتونومی بارسلون اسپانیا در همكاری با دانشمندان دو آزمایشگاه آمریكایی و فرانسوی حالت‌‏ها مغناطیسی جدیدی را درسطح میكروسكوپی ایجاد كرده‌‏اند، كه به "حالت‌‏های ورتكس سرگردان" معروف است. این حالت امكان افزایش اندازه رم مغناطیسی را فراهم می‌‏كند كه به هنگام خاموش شدن رایانه حذف نمی‌‏شود.
به گفته محققان MRAM ، می‌‏تواند زمینه روشن شدن آنی رایانه را فراهم و زمان لازم برای بوت آپ را حذف كند.

 

نوشته شده در تاریخ سه شنبه 16 اسفند 1384    | توسط: کوثر    | طبقه بندی: اخبار ای تی،     |
نظرات()